研究者
J-GLOBAL ID:201901000854950652   更新日: 2020年06月29日

ル アン コア オーグスティン

ル アン コア オーグスティン | Lu Anh Khoa Augustin
ホームページURL (1件): https://www.augustin.lu
研究分野 (1件): 半導体、光物性、原子物理
論文 (11件):
  • Dabral A, Lu A. K. A, Chiappe D, Houssa M, Pourtois G. A Systematic Study of Various 2D Materials in the Light of Defect Formation and Oxidation. Phys. Chem. Chem. Phys. 2019
  • Anh Khoa Augustin Lu, Tomoe Yayama, Tetsuya Morishita, Michelle Jeanette, Sapountzis Spencer, Takeshi Nakanishi. Uncovering New Buckled Structures of Bilayer GaN: A First-Principles Study. The Journal of Physical Chemistry C. 2019. 123. 3. 1939-1947
  • Verreck Devin, Arutchelvan Goutham, de la Rosa Cesar, J. Lockhart, Leonhardt Alessandra, Chiappe Daniele, Lu Anh, Khoa Augustin, Pourtois Geoffrey, Matagne Philippe, Heyns Marc M, Gendt Stefan De, Mocuta Anda, Radu Iuliana P. The Role of Nonidealities in the Scaling of MoS2 FETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2018. 65. 10. 4635-4640
  • Dabral A, Pourtois G, Sankaran K, Magnus W, Yu H, de Jamblinne, de Meux A, Lu A. K. A, Clima S, Stokbro K, Schaekers M, Collaert N, Horiguchi N, Houssa M. Study of the Intrinsic Limitations of the Contact Resistance of Metal/Semiconductor Interfaces through Atomistic Simulations. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2018. 7. 6. N73-N80
  • Yashwanth Balaji, Quentin Smets, Cesar Javier Lockhart, De La Rosa, Anh Khoa Augustin Lu, Daniele Chiappe, Tarun Agarwal, Dennis H. C. Lin, Cedric Huyghebaert, Iuliana Radu, Dan Mocuta, Guido Groeseneken. Tunneling Transistors based on MoS2/MoTe2 Van der Waals Heterostructures. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2018. 6. 1. 1048-1055
もっと見る
特許 (1件):
  • TWO-DIMENSIONAL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICE
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る