研究者
J-GLOBAL ID:201901004099861283   更新日: 2024年04月22日

後藤 哲也

ゴトウ テツヤ | Goto Tetsuya
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (2件): プラズマ科学 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (2件): プラズマ ,  半導体
競争的資金等の研究課題 (6件):
  • 2022 - 2025 ポリイミド基板上に集積した多数TFTの自己整合的な特性ばらつき 均一化技術の確立
  • 2019 - 2023 分極/電荷蓄積融合型ハフニウム系不揮発性多値メモリの創製
  • 2015 - 2018 マイクロ波励起 プラズマを用いた低ダメージ薄膜形成用ミニマル装置の開発
  • 2010 - 2014 原子オーダ平坦な界面を有する3 次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究
  • 2012 - 2013 回転マグネットスパッタ技術を用いた高性能酸化物半導体 薄膜トランジスタの開発
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論文 (146件):
  • Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa. Threshold voltage uniformity improvement by introducing charge injection tuning for low-temperature poly-Si thin film transistors with metal/oxide/nitride/oxide/silicon structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP51-02SP51
  • Y. Sakai, Y. Shiba, T. Inada, T. Goto, T. Suwa, T. Oikawa, A. Hamaya, A. Sutoh, T. Morimoto, Y. Shirai, et al. Visualization and Analysis of Temporal and Steady-State Gas Concentration in Process Chamber Using 70-dB SNR 1,000 fps Absorption Imaging System. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2023. 36. 4. 515-519
  • Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi, Ikenoue, Shigetoshi Sugawa. Threshold Voltage Control of LTPS TFTs with MONOS Structure. 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2023. E-7-02. 245-246
  • Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa. Characterization of MONOS-Type Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors. 2023 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of advanced Semiconductor Devices (AWAD2023). 2023. P-4
  • Yoshiaki Kakimoto, Keita Katayama, Takuma Yasunami, Tetsuya Goto, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue. Excimer laser doping for the fabrication of 4H-SiC power devices. Laser Applications in Microelectronic and Optoelectronic Manufacturing (LAMOM) XXVIII. 2023. 12408
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MISC (63件):
  • 西田 脩, 片山 慶太, 中村 大輔, 後藤 哲也, 池上 浩. 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性. 電子情報通信学会技術研究報告, シリコン材料・デバイス研究会. 2023. SDM2023-58. 27-33
  • 後藤 哲也. 磁場閉じ込め型プラズマ CVD によるシリコン窒化膜形成. 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術-成膜技術、リソグラフィ、エッチング、 CMP、洗浄-. 2023. 92-101
  • 後藤 哲也, 諏訪 智之, 片山 慶太, 西田 脩, 池上 浩, 須川 成利. MONOS 型低温ポリシリコン TFT におけるしきい値電圧制御. 第 84 回応用物理学会秋季学術講演会. 2023. 20p-B201-7. 12-088
  • 岩泉裕生, 安並拓磨, 片山慶太, 柿本祥明, 中村大輔, 後藤哲也, 池上浩. レーザードーピング後の光学顕微鏡画像を用いた機械学習による 4H-SiC 電極のコンタクト状 態の予測. 第 70 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集. 2023. 17p-A405-4. 03-442
  • 後藤 哲也, 諏訪 智之, 須川 成利. MONOS 型ポリシリコン TFT でのしきい値電圧制御に関する検討. 第 70 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集. 2023. 15p-B410-5. 12-016
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講演・口頭発表等 (6件):
  • AI による Si 薄膜トランジスタの電気特性推定」AIによるSi薄膜トランジスタの電気特性推定
    (第 69 回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム 2022)
  • 半導体製造用成膜プロセスの高性能化に向けた取り組み
    (第32回マイクロエレクトロニクス研究会 2020)
  • プラズマ成膜技術の将来展望
    (化学工学会 第51回秋季大会 2020)
  • YOFコーティングのプラズマ耐性
    (応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第223回研究集会 2020)
  • Selective Laser Annealing Technology for LTPS Thin Film Transistors Fabrications
    (2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019)
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学歴 (1件):
  • 1995 - 2000 筑波大学大学院 博士課程物理学研究科
学位 (1件):
  • 博士(理学) (筑波大学)
経歴 (4件):
  • 2020/01 - 現在 東北大学 未来科学技術共同研究センター 教授
  • 2007/04 - 2019/12 東北大学 未来科学技術共同研究センター 准教授
  • 2002/04 - 2007/03 東北大学 未来科学技術共同研究センター 助手
  • 1997/04 - 2000/03 日本学術振興会 特別研究員(DC1:筑波大学)
委員歴 (3件):
  • 2018/04 - 2019/07 日本表面真空学会 ISSP2019実行委員長
  • 2012/04 - 2014/03 電気学会 電子デバイス技術委員会 委員
  • 2011/04 - 2014/03 電気学会 編修委員会 委員
受賞 (2件):
  • 2022/05 - 映像情報メディア学会 丹羽高柳賞論文賞
  • 2013/05 - Society for Information Display, SID2013 Distinguished Paper Award, "Electrical Properties of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Prepared by Magnetron Sputtering Using Kr and Xe Instead of Ar"
所属学会 (3件):
電気学会 ,  応用物理学会 ,  表面真空学会
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