田中一

タナカハジメ | Tanaka Hajime

所属機関・部署：
職名：助教

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (3件)：シミュレーション , キャリア輸送 , 半導体

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (39件)：

Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto, Nobuya Mori. Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 173. 108126-108126
Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori. Monte Carlo simulation of mobility enhancement in multilayer graphene with turbostratic structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 031004-031004
Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 171. 108023-108023
Yutoku Murakami, Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori. Analysis of tunneling probability in heavily doped 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure considering barrier potential. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP46-03SP46
Ryoya Ishikawa, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 7. 075704

MISC (6件)：

岡田丈, 田中一, 森伸也. 半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 123. 250. 10-15
田中一. SISPAD 2023 レビュー. 電子情報通信学会技術研究報告. 2023. 123. 250. 1-6
田中一, 森伸也. 4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告. 2018. 118. 291. 35-40
藤原寛朗, 森岡直也, 田中一, 須田淳, 木本恒暢. pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告. 2014. 114. 360. 7-11
田中一, 森誠悟, 森岡直也, 須田淳, 木本恒暢. 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告. 2014. 114. 359. 1-6

講演・口頭発表等 (115件)：

SiC MOS界面におけるドナー不純物による電子束縛状態の解析
(先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023)
Carrier Transport Simulations in Twisted Bilayer and Turbostratic Multilayer Graphene Systems
(The 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2023)
SISPAD 2023 レビュー
(電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 2023)
半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析
(シリコンテクノロジー分科会第246回研究集会 2023)
Semiconductor device simulation from first principles
(The 24th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure 2023)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

委員歴 (7件)：

2023/12 - 現在 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2024 Program Committee Member
2023/12 - 現在 2024 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2024) Steering Committee Member
2022/08 - 現在 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD) Program Committee Member
2021/06 - 現在電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会専門委員
2021/07 - 2023/10 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2023 Program Vice Chair

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受賞 (6件)：

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田中 一