研究者
J-GLOBAL ID:201901012399947190   更新日: 2020年07月03日

王 冬

DONG WANG
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (3件): 薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (10件): ボーダートラップ ,  界面準位 ,  深い準位過渡分光(DLTS) ,  電界発光(EL) ,  フォトルミネッセンス(PL) ,  Ge On Insulator ,  局所歪み ,  金属/半導体コンタクト ,  Ge-MOSFET ,  Ge-光素子
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2017 - 2020 Ge-On-Insulator基板上への局所歪み導入によるGe-光素子の高性能化
  • 2014 - 2017 Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発
  • 2011 - 2013 Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジ スタ応用
  • 2009 - 2011 高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価
論文 (38件):
  • Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang. Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy. The Electrochemical Society Transactions. 2019. 92. 4. 3-10
  • K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di. Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-CutTM and Defect Elimination. The Electrochemical Society Transactions. 2019. 93. 1. 73-77
  • R. Oka, K. Yamamoto, DONG WANG, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura. Demonstration of n-MOSFET operation and internal charge analysis of SiO2/Al2O3 gate dielectric on (111) oriented 3C-SiC. Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019). 2019
  • K. Iseri, W.-C. Wen, K. Yamamoto, DONG WANG, H. Nakashima. Low Temperature (<300°C) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices. Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019). 2019
  • T. Maekura, T. Goto, K. Nakae, K. Yamamoto, H. Nakashima, DONG WANG. Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58. B. SBBE05-1-SBBE05-6
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講演・口頭発表等 (24件):
  • Enhancement of direct band gap electroluminescence in asymmetric metal/Ge/metal diodes
    (TACT 2019 International Thin Film Conference 2019)
  • Direct band gap electroluminescence and photo detection in asymmetric metal/Ge/metal diodes
    (Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018 2018)
  • Towards an energy-saving society - the shrinking transistors
    (CAMPUS Asia EEST 2nd stage Kick-off Symposium 2017)
  • Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk Ge diodes
    (The 2nd Joint Symposium of Kyushu University and Yonsei University 2016)
  • Direct band gap light emission and detection in lateral HfGe/Ge/TiN diodes
    (The American Vacuum Society (AVS) 2015 Shanghai Thin Film (TF) Conference 2015)
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学歴 (2件):
  • 1995 - 2000 吉林大学 物理学院 光学科
  • 1991 - 1995 吉林大学 物理学部 光学科
経歴 (8件):
  • 2012/02 - 現在 九州大学 准教授
  • 2008/04 - 2012/01 九州大学 特任准教授
  • 2006/04 - 2008/03 日本学術振興会 外国人特別研究員
  • 2004/04 - 2006/03 九州大学 学術研究員
  • 2002/04 - 2004/03 福岡県産業・科学技術振興財団 研究員
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所属学会 (1件):
応用物理学会
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