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J-GLOBAL ID：201902005376799493   整理番号：19S3051014

An As-P(n+-n-) Double Diffused Drain MOSFET for VLSI's

著者 (6件)： Takeda, Eiji (Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd.) ,  Kume, Hitoshi (Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd.) ,  Nakagome, Yoshinobu (Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd.) ,  Marino, Tohachi (Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd.) ,  Asai, Shojiro (Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd.) ,  Shimizu, Akihiro (Hitachi Microcomputer Engineering, Ltd.)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices
巻： 30  号： 6  ページ： 652-657  発行年： 1983年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0018-9383 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOSFET ,  VLSI