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J-GLOBAL ID：201902007952543885   整理番号：19S2767194

Enlargement of poly-si film grain size by excimer laser annealing and its application to high-performance poly-si thin film transistor

著者 (15件)： Kuriyama, Hiroyuki (Giant Electronics Technology Co. Ltd) ,  Kuriyama, Hiroyuki (SANYO Electric Co Ltd) ,  Kiyama, Seiichi (Giant Electronics Technology Co. Ltd) ,  Kiyama, Seiichi (SANYO Electric Co Ltd) ,  Noguchi, Shigeru (SANYO Electric Co Ltd) ,  Kuwahara, Takashi (SANYO Electric Co Ltd) ,  Ishida, Satoshi (SANYO Electric Co Ltd) ,  Nohda, Tomoyuki (SANYO Electric Co Ltd) ,  Sano, Keiichi (SANYO Electric Co Ltd) ,  Iwata, Hiroshi (SANYO Electric Co Ltd) ,  Kawata, Hiroshi (SANYO Electric Co Ltd) ,  Osumi, Masato (SANYO Electric Co Ltd) ,  Tsuda, Shinya (SANYO Electric Co Ltd) ,  Nakano, Shoichi (SANYO Electric Co Ltd) ,  Kuwano, Yukinori (SANYO Electric Co Ltd)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics
巻： 30  号： 12  ページ： 3700-3703  発行年： 1991年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： LASER ,  ITS