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J-GLOBAL ID：201902008021675180   整理番号：19S2965323

GaInAsP/InP lasers with etched mirrors by reactive ion etching using a mixture of ethane and hydrogen

著者 (6件)： Matsui, Teruhito (Central Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation) ,  Sugimoto, Hiroshi (Central Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation) ,  Ohishi, Toshiyuki (Central Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation) ,  Abe, Yuji (Central Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation) ,  Ohtsuka, Ken'ichi (Central Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation) ,  Ogata, Hitoshi (Central Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation)
資料名： Applied Physics Letters
巻： 54  号： 13  ページ： 1193-1194  発行年： 1989年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0003-6951 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaInAsP ,  InP