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J-GLOBAL ID：201902010100190189   整理番号：19S2917373

Diffusion mechanism of nickel and point defects in silicon

著者 (3件)： Kitagawa, Hajime (Department of Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Hashimoto, Kimio (Department of Electrical Engineering, Kyushu University) ,  Yoshida, Masayuki (Kyushu Institute of Design)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics
巻： 21  号： 2 R  ページ： 276-280  発行年： 1982年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)