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J-GLOBAL ID：201902012071275733   整理番号：19S2707989

Spatial distribution of SiH3 radicals in RF silane plasma

著者 (8件)： Itabashi, Naoshi (Department of Electronics, Nagoya University) ,  Nishiwaki, Nobuki (Department of Electronics, Nagoya University) ,  Magane, Mitsuo (Department of Electronics, Nagoya University) ,  Naito, Susumu (Department of Electronics, Nagoya University) ,  Goto, Toshio (Department of Electronics, Nagoya University) ,  Matsuda, Akihisa (Electrotechnical Laboratory) ,  Yamada, Chikashi (Institute for Molecular Science) ,  Hirota, Eizi (Institute for Molecular Science)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics
巻： 29  号： 3  ページ： L505-L507  発行年： 1990年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： RF