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J-GLOBAL ID：201902014414733050   整理番号：19S3070011

Group III impurity doped zinc oxide thin films prepared by RF magnetron sputtering

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著者 (4件)：
Minami, Tadatsugu

Minami, Tadatsugu について

(Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology)

Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology について

, 
Sato, Hirotoshi

Sato, Hirotoshi について

(Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology)

Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology について

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Nanto, Hidehito

Nanto, Hidehito について

(Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology)

Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology について

, 
Takata, Shinzo

Takata, Shinzo について

(Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology)

Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics

Japanese Journal of Applied Physics について


巻： 24  号： 10  ページ： L781-L784  発行年： 1985年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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RF

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