文献

J-GLOBAL ID：201902015601935402   整理番号：19S2444780

Si02 tapered etching employing magnetron discharge of fluorocarbon gas

著者 (5件)： Ohiwa, Tokuhisa (ULSI Research Center) ,  Horioka, Keiji (ULSI Research Center) ,  Arikado, Tsunetoshi (ULSI Research Center) ,  Hasegawa, Isahiro (ULSI Research Center) ,  Okano, Haruo (ULSI Research Center)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics
巻： 31  号： 2R  ページ： 405-412  発行年： 1992年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)