文献

J-GLOBAL ID：201902016492246479   整理番号：19S3070844

Advanced techniques to decrease defect density in molecular beam epitaxial silicon films

著者 (3件)： Tatsumi, Toru (Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation) ,  Aizaki, Naoaki (Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation) ,  Tsuya, Hideki (Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics
巻： 24  号： 4 A  ページ： L227-L229  発行年： 1985年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)