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J-GLOBAL ID：201902020659630575   整理番号：19S2655373

Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE

著者 (5件)： Akasaki, Isamu (Nagoya University, Department of Electronics) ,  Amano, Hiroshi (Nagoya University, Department of Electronics) ,  Koide, Yasuo (Nagoya University, Department of Electronics) ,  Hiramatsu, Kazumasa (Nagoya University, Department of Electronics) ,  Sawaki, Nobuhiko (Nagoya University, Department of Electronics)
資料名： Journal of Crystal Growth
巻： 98  号： 1-2  ページ： 209-219  発行年： 1989年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0022-0248  CODEN： JCRGA 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： AIN ,  GaN ,  MOVPE