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J-GLOBAL ID：201902101761889915   整理番号：19S2469696

Highly uniform InGaAs/GaAs quantum dots (∼15 nm) by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (4件)： Oshinowo, J. (Institute of Industrial Science, University of Tokyo) ,  Nishioka, M. (Institute of Industrial Science, University of Tokyo) ,  Ishida, S. (Institute of Industrial Science, University of Tokyo) ,  Arakawa, Y. (Institute of Industrial Science, University of Tokyo)
資料名： Applied Physics Letters
巻： 65  号： 11  ページ： 1421-1423  発行年： 1994年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0003-6951 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaAs ,  GaAs ,  DOTS