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J-GLOBAL ID：201902102091823710   整理番号：19S2350616

X-ray photoelectron spectroscopy (Xps) analysis of oxide formation on silicon with high-purity ozone

著者 (2件)： Kurokawa, Akira (Electrotechnical laboratory) ,  Ichimura, Shingo (Electrotechnical laboratory)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics
巻： 34  号： 12  ページ： L1606-L1608  発行年： 1995年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0021-4922 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： XPS