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J-GLOBAL ID：201902106579323517   整理番号：19S2599507

Experimental Study of Threshold Voltage Fluctuation Due to Statistical Variation of Channel Dopant Number in MOSFET’s

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著者 (3件)：
Mizuno, Tomohisa

Mizuno, Tomohisa について

(ULSI Research Labs, Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation)

ULSI Research Labs, Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation について

, 
Okamura, Jun-ichi

Okamura, Jun-ichi について

(ULSI Research Labs, Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation)

ULSI Research Labs, Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation について

, 
Toriumi, Akira

Toriumi, Akira について

(ULSI Research Labs, Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation)

ULSI Research Labs, Semiconductor Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation について


資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices

IEEE Transactions on Electron Devices について


巻： 41  号： 11  ページ： 2216-2221  発行年： 1994年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0018-9383 
言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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MOSFET

MOSFET について


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