文献

J-GLOBAL ID：201902110065766107   整理番号：19S2518978

Suppression of Side-Etching in C2H6/H2/O2 Reactive Ion Etching for the Fabrication of an InGaAsP/InP P-Substrate Buried-Heterostructure Laser Diode

著者 (7件)： Sugimoto, Hiroshi (Mitsubishi Electric Corporation, Central Research Laboratory) ,  Isu, Toshiro (Mitsubishi Electric Corporation, Central Research Laboratory) ,  Tada, Hitoshi (Mitsubishi Electric Corporation, Optoelectronic and Microwave Device Laboratory) ,  Miura, Takeshi (Mitsubishi Electric Corporation, Optoelectronic and Microwave Device Laboratory) ,  Shiba, Tetsuo (Mitsubishi Electric Corporation, Optoelectronic and Microwave Device Laboratory) ,  Kimura, Tadashi (Mitsubishi Electric Corporation, Optoelectronic and Microwave Device Laboratory) ,  Takemoto, Akira (Mitsubishi Electric Corporation, Optoelectronic and Microwave Device Laboratory)
資料名： Journal of the Electrochemical Society
巻： 140  号： 12  ページ： 3615-3620  発行年： 1993年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0013-4651 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： H2 ,  O2 ,  InGaAsP ,  InP ,  LASER