文献
J-GLOBAL ID：201902113535408295   整理番号：19S2857672

New degradation mode of scaled p+ polysilicon gate pMOSFETs induced by bias temperature (BT) instability

  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (3件)：
Uwasawa, Ken'ichi

Uwasawa, Ken'ichi について

(NEC Corp)

NEC Corp について

, 
Yamamoto, Toyoji

Yamamoto, Toyoji について

(NEC Corp)

NEC Corp について

, 
Mogami, Tohru

Mogami, Tohru について

(NEC Corp)

NEC Corp について


資料名：
Technical Digest - International Electron Devices Meeting

Technical Digest - International Electron Devices Meeting について


ページ： 871-874  発行年： 1995年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0163-1918  CODEN： TDIMD 
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
BT

BT について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM