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J-GLOBAL ID：201902113692294074   整理番号：19S2352874

Fabrication technique for Si single-electron transistor operating at room temperature

著者 (9件)： Takahashi, Y. (NTT LSI Lab) ,  Nagase, M. (NTT LSI Lab) ,  Namatsu, H. (NTT LSI Lab) ,  Kurihara, K. (NTT LSI Lab) ,  Iwdate, K. (NTT LSI Lab) ,  Nakajima, Y. (NTT LSI Lab) ,  Horiguchi, S. (NTT LSI Lab) ,  Murase, K. (NTT LSI Lab) ,  Tabe, M. (NTT LSI Lab)
資料名： Electronics Letters
巻： 31  号： 2  ページ： 136-137  発行年： 1995年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEA 

タイトルに関連する用語 (1件)： Si