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J-GLOBAL ID：201902115800062293   整理番号：19S2382586

Van der Waals epitaxy on hydrogen-terminated Si(111) surfaces and investigation of its growth mechanism by atomic force microscope

著者 (3件)： Ueno, K. (Univ of Tokyo) ,  Sakurai, M. (Univ of Tokyo) ,  Koma, A. (Univ of Tokyo)
資料名： Journal of Crystal Growth
巻： 150  号： 1 -4 pt 2  ページ： 1180-1185  発行年： 1995年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0022-0248  CODEN： JCRGA 

タイトルに関連する用語 (3件)： VAN ,  Si ,  ITS