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J-GLOBAL ID：201902116117130204   整理番号：19S2360269

Hydrogen passivation of Mg acceptors in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (6件)： Götz, W. (Xerox Palo Alto Research Center) ,  Johnson, N. M. (Xerox Palo Alto Research Center) ,  Walker, J. (Xerox Palo Alto Research Center) ,  Bour, D. P. (Xerox Palo Alto Research Center) ,  Amano, H. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University) ,  Akasaki, I. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University)
資料名： Applied Physics Letters
巻： 67  ページ： 2666-  発行年： 1995年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0003-6951 
言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： Mg ,  GaN