{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201902118331052914   整理番号:19S2563171

Development of poly-Si TFT models for device simulation: In-plane trap model and thermionic emission model

著者 (7件):
資料名:
ページ: 423-426  発行年: 2001年 
JST資料番号: SCOPUS  ISSN: 1083-1312 
発行国: アメリカ (USA)  言語: 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る