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J-GLOBAL ID：201902201887754211   整理番号：19S0702185

Characterization of ion implanted silicon using UV Raman and multiwavelength photoluminescence for in-line dopant activation monitoring

著者 (7件)： Yoo, Woo Sik (WaferMasters, Inc.) ,  Ishigaki, Toshikazu (WaferMasters, Inc.) ,  Ueda, Takeshi (WaferMasters, Inc.) ,  Kang, Kitaek (WaferMasters, Inc.) ,  Hasuike, Noriyuki (Kyoto Institute of Technology) ,  Harima, Hiroshi (Kyoto Institute of Technology) ,  Yoshimoto, Masahiro (Kyoto Institute of Technology)
資料名： Extended Abstracts of the 13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT 2013
ページ： 41-44  発行年： 2013年 
JST資料番号： SCOPUS 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)