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J-GLOBAL ID：201902202387700880   整理番号：19S1416942

Hybrid orientation substrate fabrication using electron beam induced orientation selective epitaxial growth of CeO 2(100) and (110) areas on Si(100) substrates

著者 (2件)： Inoue, T. (Iwaki Meisei University) ,  Shida, S. (Iwaki Meisei University)
資料名： ECS Transactions
巻： 45  号： 3  ページ： 443-451  発行年： 2012年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 1938-5862  ISBN： 9781566779555 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： CEO ,  Si