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J-GLOBAL ID：201902202827351580   整理番号：19S0012013

Ohmic contacts on n-type layers formed in GaN/AlGaN/GaN by dual-energy Si ion implantation

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著者 (4件)：
Shiino, Tomohisa

Shiino, Tomohisa について

(EE Dept. Graduate School of Engineering, Hosei University)

EE Dept. Graduate School of Engineering, Hosei University について

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Saitoh, Tomohiro

Saitoh, Tomohiro について

(EE Dept. Graduate School of Engineering, Hosei University)

EE Dept. Graduate School of Engineering, Hosei University について

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Nakamura, Tohru

Nakamura, Tohru について

(EE Dept. Graduate School of Engineering, Hosei University)

EE Dept. Graduate School of Engineering, Hosei University について

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Inada, Taroh

Inada, Taroh について

(Nano Technology Research Center, Waseda University)

Nano Technology Research Center, Waseda University について


資料名：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms について


巻： 267  号： 8-9  ページ： 1571-1574  発行年： 2009年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0168-583X  CODEN： NIMBE 
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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GaN

GaN について

, 
AlGaN

AlGaN について

, 
Si

Si について


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