文献

J-GLOBAL ID：201902208642949003   整理番号：19S1177100

Mg-doped N-polar InN grown by RF-MBE

著者 (7件)： Muto, Daisuke (Department of Photonics, Ritsumeikan Univ.) ,  Takado, Shinya (Department of Photonics, Ritsumeikan Univ.) ,  Araki, Tsutomu (Department of Photonics, Ritsumeikan Univ.) ,  Nanishi, Yasushi (Department of Photonics, Ritsumeikan Univ.) ,  Nanishi, Yasushi (Center for Promotion, COE Program, Ritsumeikan Univ.) ,  Naoi, Hiroyuki (Center for Promotion, COE Program, Ritsumeikan Univ.) ,  Na, Hyunseok (Center for Promotion, COE Program, Ritsumeikan Univ.)
資料名： Materials Research Society Symposium Proceedings
巻： 955  ページ： 282-287  発行年： 2006年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0272-9172  ISBN： 9781604234114  CODEN： MRSPD 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： InN