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J-GLOBAL ID：201902208925108382   整理番号：19S0351530

Impacts of orientation and cross-sectional shape on hole mobility of Si nanowire MOSFETs

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著者 (5件)：
Fujihara, Hiroaki

Fujihara, Hiroaki について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について

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Morioka, Naoya

Morioka, Naoya について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について

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Tanaka, Hajime

Tanaka, Hajime について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について

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Suda, Jun

Suda, Jun について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University について

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Kimoto, Tsunenobu

Kimoto, Tsunenobu について

(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University)

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資料名：
IMFEDK 2015 - 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

IMFEDK 2015 - 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai について


ページ： 106-107  発行年： 2015年 
JST資料番号： SCOPUS  ISBN： 9781479986149 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (1件)：
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Si

Si について


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