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J-GLOBAL ID：201902210217024344   整理番号：19A0660475

同一アレイに沿った多重トランジスタのための長い半導体カーボンナノチューブのオンチップ選別【JST・京大機械翻訳】

On-Chip Sorting of Long Semiconducting Carbon Nanotubes for Multiple Transistors along an Identical Array

著者 (7件)： Otsuka Keigo (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Inoue Taiki (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Maeda Etsuo (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Kometani Reo (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Chiashi Shohei (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Maruyama Shigeo (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Maruyama Shigeo (Energy NanoEngineering Laboratory, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 11  ページ： 11497-11504  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWNT)を含むトランジスタにおいて,弾道輸送とサブ10nmチャネル長を達成した。シリコン,大面積,高密度,および純粋な半導体(s-)SWNTアレイの置換のための単一チューブトランジスタと高性能論理回路の間のギャップを埋めることは非常に望ましい。ここでは,オンチップ精製法により,純粋に半導体SWNTアレイに沿った多重トランジスタの作製を実証した。サイト制御ナノギャップからの水およびポリマ支援燃焼を,高密度アレイにおいてさえ最小化されたs-SWNTへの損傷を伴う金属SWNTの信頼できる完全長除去のために開発した。種々のチャネル長を有するすべてのトランジスタは,オフ状態において大きなオン状態電流と優れたスイッチング挙動を示した。著者らの方法は,無視できる損傷をもつ大きな面積にわたって純粋なs-SWNTアレイを提供する可能性があるので,任意の寸法をもつ多数のトランジスタが,従来の半導体プロセスを用いて作製でき,SWNTベースの論理,高速通信,および他の次世代電子デバイスをもたらす。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多重化 ,  電流 ,  FET【トランジスタ】 ,  単層カーボンナノチューブ ,  論理回路 ,  ケイ素 ,  スイッチング ,  重合体 ,  *半導体 ,  *トランジスタ ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： オン状態 ,  ナノギャップ ,  大面積 ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： カーボンナノチューブ ,  整列アレイ ,  精製 ,  電界効果トランジスタ ,  電気燃焼

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アレイ ,  多重 ,  トランジスタ ,  半導体カーボンナノチューブ ,  オンチップ ,  選別