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J-GLOBAL ID:201902210240952495   整理番号:19A0660507

van der Waals層状材料:機会と挑戦【JST・京大機械翻訳】

van der Waals Layered Materials: Opportunities and Challenges
著者 (7件):
資料名:
巻: 11  号: 12  ページ: 11803-11830  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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グラフェンがスコッチテープ技術によって利用可能になったので,膨大なクラスの二次元(2D)van der Waals(vdW)層状材料が集中的に研究されている。より興味深いことは,三次元(3D)バルク材料のよく知られた物理学と化学がしばしば無関係で,2D vdW材料におけるエキゾチック現象を明らかにすることである。簡単な剥離技術により容易に達成できる平面および垂直方向におけるこれらの材料のヘテロ構造をさらに構築することにより,多くの量子力学デバイスが基礎研究および技術応用のために実証されている。したがって,2D vdW材料における特別な特徴をレビューし,残りの課題と課題を議論することが必要である。ここでは,vdW相互作用,強いCoulomb相互作用,層依存性,誘電遮蔽工学,仕事関数変調,相工学,ヘテロ構造,安定性,成長問題,および残りの課題をカバーするvdW材料ライブラリ,技術関連性および特殊性をレビューした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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原子・分子のクラスタ  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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