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J-GLOBAL ID：201902210282386411   整理番号：19A1971827

Cu(In,Ga)Se_2デバイスにおける大きな準安定性:バッファ特性の重要性【JST・京大機械翻訳】

Large metastability in Cu (In,Ga)Se₂ devices: The importance of buffer properties

著者 (7件)： Repins Ingrid (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80465, USA) ,  Glynn Stephen (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80465, USA) ,  Silverman Timothy J. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80465, USA) ,  Garris Rebekah (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80465, USA) ,  Bowers Karen (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80465, USA) ,  Stevens Bart (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80465, USA) ,  Mansfield Lorelle (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80465, USA)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 27  号： 9  ページ： 749-759  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかの市販のCu(In,Ga)Se_2(CIGS)モジュールは光浸漬による電流-電圧パラメータの大きな変化を示す。このような変化は必ずしも性能問題を示すものではないが,関連する不確実性は非常に競争力のある市場において不利である可能性がある。したがって,高性能デバイスの他の望ましい側面に影響することなく,加工変化が準安定性を低下させる可能性があることを定義するために,大きな準安定性の起源を理解することは有益である。本研究では,小型デバイスにおける吸収体とバッファ処理の変化を通して,いくつかの市販製品におけるそれらのような大きな準安定性を再現することを試みた。両タイプの変化は準安定性に影響することが分かったが,バッファ変動のみが高効率デバイスにおいて大きな準安定性を再現できた。デバイスモデリングにより,バッファ効果のみがこれらのデバイスで見られる大きな準安定性を説明するのに十分であることを確認した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *電圧 ,  不確実性 ,  パラメータ ,  モデリング ,  浸漬 ,  硫化カドミウム ,  吸収体 ,  緩衝作用
準シソーラス用語： セレン化ガリウムインジウム銅 ,  高効率 ,  *準安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： バッファ ,  CdS ,  CIGS ,  Cu(InGa)Se2 ,  ライトソーク ,  準安定 ,  Zn(Os)

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  Ga ,  準安定性 ,  バッファ ,  重要性