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J-GLOBAL ID：201902210351120359   整理番号：19S1376527

Substrate-transfer technique using h-BN for GaN-based high-power transistors

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著者 (3件)：
Hiroki, Masanobu

Hiroki, Masanobu について

(Thin-Film Materials Research Group, NTT Basic Research Laboratories)

Thin-Film Materials Research Group, NTT Basic Research Laboratories について

, 
Kumakura, Kazuhide

Kumakura, Kazuhide について

(Thin-Film Materials Research Group, NTT Basic Research Laboratories)

Thin-Film Materials Research Group, NTT Basic Research Laboratories について

, 
Yamamoto, Hideki

Yamamoto, Hideki について

(Materials Science Laboratory, NTT Basic Research Laboratories)

Materials Science Laboratory, NTT Basic Research Laboratories について


資料名：
NTT Technical Review

NTT Technical Review について


巻： 14  号： 8  発行年： 2016年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 1348-3447 
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

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