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J-GLOBAL ID：201902210355120916   整理番号：19A1415865

メチルアンモニウム臭化鉛単結晶における欠陥状態のLaplace電流深準位過渡分光法測定【JST・京大機械翻訳】

Laplace current deep level transient spectroscopy measurements of defect states in methylammonium lead bromide single crystals

著者 (5件)： Rosenberg John W. (Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovot 76100, Israel) ,  Legodi Matshisa J. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa) ,  Rakita Yevgeny (Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovot 76100, Israel) ,  Cahen David (Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovot 76100, Israel) ,  Diale Mmantsae (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Hatfield 0028, South Africa)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 14  ページ： 145701-145701-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メチルアンモニウム臭化鉛(MAPbBr_3)単結晶における欠陥状態のエネルギーと捕獲断面積の測定を示した。Laplace電流深準位過渡分光法(I-DLTS)を用いて,バンド端から0.17eVと0.20eVのエネルギーをもつ二つの顕著な欠陥が観測され,さらにI-DLTS測定はこれら二つの欠陥がバルク欠陥であることを確認した。これらの結果は理論的予測と定性的に一致し,観測された欠陥の全てが一般化-再結合中心としてよりもトラップとして振舞うことを示した。これらの結果は,ハロゲン化鉛ペロブスカイトで作られたデバイスから得られた高効率と開回路電圧に対する一つの説明を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  *単結晶 ,  *深準位過渡分光法 ,  *鉛 ,  再結合中心 ,  予測 ,  ハロゲン化
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  高効率 ,  バンド端 ,  捕獲断面積 ,  *臭化鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： メチルアンモニウム ,  臭化鉛 ,  単結晶 ,  欠陥状態 ,  深準位過渡分光法