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J-GLOBAL ID：201902210570162796   整理番号：19A1401977

Ga集束イオンビーム照射により製造された懸架式多層カーボンナノチューブのトンネル障壁と単一電子トランジスタ

Tunnel barriers and single electron transistors in suspended multi-wall carbon nanotubes fabricated by Ga focused ion beam irradiation

著者 (13件)： GHAZALI N. M. (RIKEN) ,  GHAZALI N. M. (UTM) ,  HAGIWARA N. (RIKEN) ,  HAGIWARA N. (Chiba Univ.) ,  SUZUKI K. (RIKEN) ,  TOMIZAWA H. (RIKEN) ,  HASHIM A. M. (UTM) ,  YAMAGUCHI T. (RIKEN) ,  AKITA S. (Osaka Pref. Univ.) ,  ISHIBASHI K. (RIKEN) ,  ISHIBASHI K. (UTM) ,  ISHIBASHI K. (Chiba Univ.) ,  ISHIBASHI K. (RIKEN CEMS)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-M103-7  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 本研究では,機械的移動技術およびGa集束イオンビーム(FIB)照射により,懸垂多層カーボンナノチューブ(MWCNT)におけるトンネル障壁を作製するための信頼できる技術を検討した。このプロセスは機械的振動...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 集束イオンビーム ,  ガリウム化合物 ,  金属イオン ,  *イオン照射 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  *ポテンシャル障壁 ,  *単一電子トランジスタ ,  照射線量
準シソーラス用語： ガリウムイオン ,  *イオンビーム照射 ,  *トンネル障壁

分類 (2件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  集束イオンビーム ,  懸架 ,  多層カーボンナノチューブ ,  トンネル障壁 ,  単一電子トランジスタ