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J-GLOBAL ID：201902210660829235   整理番号：19A2856250

ブラックホスホレンに基づくSchottkyヘテロ接合における幅依存整流挙動【JST・京大機械翻訳】

Width dependent rectifying behavior in Schottky heterojunction based on black phosphorene

著者 (3件)： Bian Baoan (School of Science, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Yang Jingjuan (School of Science, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Wei Jinlei (School of Science, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 239  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向Schottkyヘテロ接合を,S修飾エッジを有する金属ブラックホスホレンとH修飾エッジを有する半導体ブラックホスホレンによって設計した。第一原理計算は整流挙動を示す設計素子に対する非対称電流-電圧特性を示した。減少した整流比は,黒色ホスホレンナノリボンの幅の増加とともに,0.5Vから1.3Vまでのバイアスで見出された。透過スペクトル,状態密度及び透過固有状態を通しての幅依存電子輸送を論じた。分子と電極間の変化する結合は,変化した電流を説明する。黒色ホスホレンナノリボンの幅は電子輸送に影響を及ぼし,黒色ホスホレンナノリボンの幅の増加はブラックホスホレンに基づく横方向Schottkyヘテロ接合における整流比を減少させると結論した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  バイアス ,  *整流 ,  電流電圧特性 ,  状態密度 ,  非対称性 ,  半導体 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  固有状態 ,  透過スペクトル ,  整流比 ,  第一原理計算 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Schottkyヘテロ接合 ,  ブラックホスホレン ,  電子輸送 ,  整流挙動

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブラック ,  ホスホレン ,  ヘテロ接合 ,  整流 ,  挙動