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J-GLOBAL ID：201902210749774859   整理番号：19A0659063

900nmに達する吸収端を持つ狭バンドギャップ有機半導体アクセプタの合成と光起電力特性【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and Photovoltaic Properties of a Series of Narrow Bandgap Organic Semiconductor Acceptors with Their Absorption Edge Reaching 900 nm

著者 (14件)： Li Xiaojun (CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Xiaojun (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Huang He (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Bin Haijun (CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Bin Haijun (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Peng Zhengxing (Department of Physics and ORaCEL, North Carolina State University, North Carolina, United States) ,  Zhu Chenhui (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Xue Lingwei (CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Zhi-Guo (CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Zhanjun (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Ade Harald (Department of Physics and ORaCEL, North Carolina State University, North Carolina, United States) ,  Li Yongfang (CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Yongfang (School of Chemistry and Chemical Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Yongfang (Laboratory of Advanced Optoelectronic Materials, College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, Jiangsu, China)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 23  ページ： 10130-10138  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： <1.4eVのE_g値をもつ3つのn-OSアクセプタを,ITIC(ITVIC)に二重結合π架橋を導入し,その末端基にモノフッ素(ITVfIC)またはビフッ素(ITVffIC)置換基を導入して合成し,アクセプタの構造-特性相関を系統的に研究した。3つのn-OS膜は550~900nmの波長範囲をカバーする広い吸収を示し,ITVICでは1.40eV,ITVfICでは1.37eV,ITVffICでは1.35eVの狭いE_g値を示した。さらに,フッ素置換は,化合物の最高被占分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)エネルギー準位を下方シフトさせた。ドナーとして中間バンドギャップ共役高分子J71を用いて,n-OSアクセプタの光起電力特性を調べた。J71:ITVffICに基づく最適化高分子太陽電池(PSC)は,20.60mAcm-2の高いJ_scと0.81VのV_ocで10.54%の電力変換効率(PCE)を示し,最高のJ_scは22.83mAcm-2に達した。素子の高いJ_sc値はアクセプタの広い吸収と低いHOMOエネルギー準位に起因すると考えられる。アクセプタITVffICに対する0.81VのV_ocと1.35eVの狭いバンドギャップを考慮すると,ITVffICベースのPSCのエネルギー損失(E_損失)は0.54eVに減少し,それは>10%のPCEを持つPSCにおいて最低値であることを見出した。結果は,ITVffICがタンデムおよび半透明PSCにおける応用のための有望な狭いE_gアクセプタであることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸収端 ,  *アクセプタ ,  ドナー ,  *光起電力 ,  HOMO ,  フッ素化 ,  二重結合 ,  *バンドギャップ ,  末端基 ,  LUMO ,  *狭帯域 ,  *有機半導体 ,  最適化
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  高分子太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 吸収端 ,  狭バンド ,  ギャップ ,  有機半導体 ,  アクセプタ ,  光起電力