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J-GLOBAL ID：201902210826202794   整理番号：19A2615003

窒化物半導体,Ca(Mg_1-xZn_x)_2N_2(x=0~1)に対する室温での1.8~3.2eV範囲とp型伝導率による調整可能な発光【JST・京大機械翻訳】

Tunable Light Emission through the Range 1.8-3.2 eV and p-Type Conductivity at Room Temperature for Nitride Semiconductors, Ca(Mg_1-xZn_x)₂N₂ (x = 0-1)

著者 (4件)： Tsuji Masatake (Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Hiramatsu Hidenori (Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Hiramatsu Hidenori (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Hosono Hideo (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Japan)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 58  号： 18  ページ： 12311-12316  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元窒化物CaZn_2N_2は,地球の豊富な元素だけから成り,バンドギャップが~1.8eVの新しい半導体である。第一原理計算により,Znサイトでの連続Mg置換は,Ca-(Mg_1-xZn_x)_2N_2(x=0~1)に対して,~3.3~1.9eVの広い範囲で光学バンドギャップを変化させることを予測した。本研究では,周囲圧力での固相反応と5GPaでの高圧合成がそれぞれx=0と0.12と0.12<x≦1の多結晶試料を生成することを示した。光学バンドギャップは約3.2から~1.8eVまで連続的に同調でき,理論により予測される範囲に非常に近いことを実験的に確認した。xに依存して紫外領域の室温でバンド光ルミネセンスが観測された。Ca-(Mg_1-xZn_x)_2N_2のCaサイトでの2%Naドーピングは,その高抵抗状態をp型伝導状態に変換する。特に,x=0.50試料は深い準位欠陥からの他の発光なしに2.45eV(506nm)でピークをもつ強い緑色発光を示した。これらの特徴は,III-V族窒化物とヒ化物/リン化物発光半導体の要求を満たしている。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒ化物 ,  光ルミネセンス ,  多結晶 ,  地球 ,  計算 ,  ドーピング ,  *窒化物 ,  *半導体 ,  深い準位 ,  バンドギャップ ,  固相反応 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 緑色発光 ,  紫外領域 ,  第一原理計算 ,  *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化物半導体 ,  Ca ,  室温 ,  P型伝導