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J-GLOBAL ID：201902210860017233   整理番号：19A1888900

青色ホスホレン/MXeneヘテロ接合におけるSchottky障壁の消失【JST・京大機械翻訳】

Vanishing Schottky Barriers in Blue Phosphorene/MXene Heterojunctions

著者 (7件)： Wang Hefei (School of Materials Science and Engineering, Beihang University) ,  Si Chen (School of Materials Science and Engineering, Beihang University) ,  Si Chen (Center for Integrated Computational Materials Engineering, International Research Institute for Multidisciplinary Science, Beihang University) ,  Zhou Jian (School of Materials Science and Engineering, Beihang University) ,  Zhou Jian (Center for Integrated Computational Materials Engineering, International Research Institute for Multidisciplinary Science, Beihang University) ,  Sun Zhimei (School of Materials Science and Engineering, Beihang University) ,  Sun Zhimei (Center for Integrated Computational Materials Engineering, International Research Institute for Multidisciplinary Science, Beihang University)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 45  ページ： 25164-25171  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適切な電極材料は二次元(2D)半導体にとって重要であり,そこではSchottky障壁の消失が理想的であるが,大きな課題である。青色ホスホレン(Bluetooth)は,電子およびオプトエレクトロニクス応用のための有望な2D半導体である。ここでは,Zr-,Hf-,およびNb-ベースの2D遷移金属炭化物(MXene)が,第一原理計算により,ブルーeP/MXeneヘテロ接合の電子特性と界面Schottky障壁特性の広範な研究に基づいて,Bluetoothの理想的な電極材料であることを報告する。著者らの結果は,ブルーePと裸のMXeneの間の強い相互作用がBluePの半導体特性を破壊し,従って,裸のMXeneは理想的な接触電極ではないことを示した。MXeneの表面機能化により,BluePの固有の電子的特徴はBlueP/表面工学MXeneヘテロ接合で良く保存されている。さらに,ヘテロ接合の界面Schottky障壁は,MXene上の末端表面基によって影響を受け,そして,Zr_n+1C_nF_2,Hf_n+1C_nF_2,Zr_n+1C_n(OH)_2,Hf_n+1C_n(OH)_2,およびNb_n+1C_n(OH)_2を有するいくつかのMXeneにおいて,消失するSchottky障壁を達成した。最後に,MXeneの仕事関数と電荷再配列により誘起された界面双極子がSchottky障壁の大きさを決定する二つの基礎因子であることを示した。本研究は,Bluetoothに対する理想的な電極材料を選択するための基礎を提供し,他の2D半導体に対する電極の最適化にも有益である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  オプトエレクトロニクス ,  炭化物 ,  半導体 ,  界面 ,  *ヘテロ接合 ,  仕事関数 ,  電荷 ,  二次元 ,  電極材料 ,  最適化
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  Bluetooth ,  *MXene ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 青色 ,  ホスホレン ,  MXene ,  ヘテロ接合 ,  Schottky障壁