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J-GLOBAL ID：201902211029792683   整理番号：19A1887811

ナノ加工電気化学系における量子トンネル電流【JST・京大機械翻訳】

Quantum Tunneling Currents in a Nanoengineered Electrochemical System

著者 (7件)： Gupta Chaitanya (ProbiusDx, Inc., California, United States) ,  Walker Ross M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Utah, United States) ,  Chang Shuai (College of Materials and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Hubei, China) ,  Fischer Sean R. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Seal Matthew (OpenGov, Inc., California, United States) ,  Murmann Boris (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Howe Roger T. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 28  ページ： 15085-15105  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール電気化学界面を横切る電荷移動に対する等価回路モデルを開発し,界面パラメータを調整するために適用し,トンネル電子が界面の振電構造に関する情報を伝達するようにした。モデル予測は,直径10nmの金ナノ粒子で官能化した50nm直径のPt(80%)-Ir(20%)電極上の特注の低雑音ポテンシオスタットを用いて得られたサイクリックボルタンメトリーと広く一致し,酸化還元対を有するリン酸緩衝液に浸漬した。1μMの2-d-ロイシンに対するコンダクタンス-電圧掃引は,1μMロイシンに対するそれらからの振電ピークをシフトさせ,無標識センシングに対する有望性を示した。このモデルは,電解質中の参加者の電子状態と参加者の反応座標の間の相互作用の強さを記述する2つの相互依存長さと,後者と周囲の浴モードの間に基づいている。これらの長さは,界面形状によって定義される古典的静電容量に平行に位置する容量要素に変換する。特定の界面形状によって定義される最適な電荷移動領域を同定し,それにおいて,遷移電子と特定の反応座標モードの間で移動するエネルギーが,周囲の浴と受容体モードの相互作用によって正確に散逸される。電荷移動を測定するためのナノ電気化学的界面への外部定電位装置の結合の摂動効果を,等価界面温度により定義した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気化学 ,  電圧 ,  静電容量 ,  浸漬 ,  相互作用 ,  *ナノメータ加工 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  コンダクタンス ,  官能化 ,  電位 ,  界面 ,  電荷移動
準シソーラス用語： 無標識 ,  ポテンショスタット ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ加工 ,  電気化学 ,  量子 ,  トンネル電流