文献

J-GLOBAL ID：201902211075619060   整理番号：19A1418886

強誘電性HfYO_xを持つFDSOI MOSFETにおける過渡的負性容量と電荷トラッピング【JST・京大機械翻訳】

Transient negative capacitance and charge trapping in FDSOI MOSFETs with ferroelectric HfYO_X

著者 (6件)： Han Qinghua (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Aleksa Paulus (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Tromm Thomas Carl Ulrich (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Schubert Juergen (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Mantl Siegfried (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany) ,  Zhao Qing-Tai (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52428 Juelich, Germany)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 159  ページ： 71-76  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FDSOI上にHfYO_x強誘電体を有する急峻な傾斜負容量MOSFETを実験的に実証した。30mV/decの平均SSは,ドレイン電流の30年以上にわたって達成された。負の静電容量は,急峻な勾配に対して強い分極スイッチングが必要であるので,過渡現象であると信じられている。サブ熱SSはサイクル測定により劣化し,これは強誘電体酸化物層におけるトラップ帯電により引き起こされると仮定した。分極と電荷トラッピング間のトレードオフは素子のサブ閾値挙動の原因である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  帯電 ,  *MOSFET ,  *強誘電性 ,  過渡現象 ,  酸化層 ,  静電容量 ,  分極 ,  分極反転
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  ドレイン電流 ,  *電荷捕獲 ,  *ネガティブキャパシタンス ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 負性容量MOSFET ,  急傾斜 ,  安定性 ,  強誘電性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電性 ,  FDSOI ,  MOSFET ,  負性容量 ,  電荷トラッピング