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J-GLOBAL ID:201902211340482704   整理番号:19A1385016

高効率電力SoC応用のための新しいオンチップ高Q電力インダクタ【JST・京大機械翻訳】

Novel on-chip high-Q power inductor for high-efficient PowerSoC Applications
著者 (9件):
資料名:
巻: 2019  号: EDTM  ページ: 392-394  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,厚い銅と厚い磁気コアを持つ新しいオンチップインダクタを設計し製作した。改善された磁気コア積層と厚いCu層により,これらインダクタは20MHzで21.1の高いQ値と420nH/オームの高いL/R_dcを達成した。これは大きなインダクタンス(>100nH)のオンチップインダクタに対して最も良く知られたQ因子とL/R_dcである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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電力変換器 
タイトルに関連する用語 (5件):
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