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J-GLOBAL ID：201902211451094281   整理番号：19A1384909

GaNベースの横方向および垂直デバイス 安定性と信頼性を制限する物理的機構【JST・京大機械翻訳】

GaN-based lateral and vertical devices: physical mechanisms limiting stability and reliability

著者 (4件)： Meneghesso Gaudenzio (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, 35131, Italy) ,  Meneghini Matteo (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, 35131, Italy) ,  De Santi Carlo (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, 35131, Italy) ,  Zanoni Enrico (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, 35131, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EDTM  ページ： 68-70  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベースのデバイスは技術革命を作り出し,高効率電力変換器の開発のためにシリコントランジスタを置き換えることが期待されている。このため,高性能で高信頼性のGaNトランジスタの作製に向けて,重要な研究努力が費やされている。これにもかかわらず,GaN HEMTの信頼性は,多くの因子によってまだ制限されており,デバイス寿命を大幅に減少させ,早期故障に導くことができる。本論文では,パワーエレクトロニクス用のGaNトランジスタの故障の原因となる物理的プロセスの概要を示した。(i)オフ状態条件下での分解;(ii)セミオン条件での分解;(iii)オン状態(正ゲートバイアス)の劣化。ここで示した結果は,GaNデバイスの最も一般的な劣化モードの理解を助け,製造技術の改善に使用できる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  故障 ,  電力変換器 ,  *信頼性 ,  トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  生産技術 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  オフ状態 ,  GaN HEMT ,  高信頼性 ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  横方向 ,  垂直 ,  安定性 ,  制限 ,  物理