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文献
J-GLOBAL ID:201902211456817928   整理番号:19A2824218

CsSnI_3薄膜の熱電性能を高めるためのY_2O_3足場を用いた界面工学【JST・京大機械翻訳】

Interface engineering using Y2O3 scaffold to enhance the thermoelectric performance of CsSnI3 thin film
著者 (8件):
資料名:
巻: 76  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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溶液処理したセシウムすずハロゲン化物ペロブスカイト(CsSnI_3)は,熱電応用のために探求される無機結晶である。ここでは,熱電性能を改善するために無機Y_2O_3足場を用いた新しい戦略を報告する。追加のY_2O_3はCsSnI_3結晶成長に影響し,固有欠陥(Sn4+)形成を伴うより伝導性の挙動を支持する。したがって,得られた溶液処理複合膜Y_2O_3/CsSnI_3は,元のCsSnI_3膜の98S/cmと比較して,~310S/cmの非常に改善された電気伝導率を示した。Y_2O_3の影響下で,得られたフォノン散乱経路は,形成された欠陥/空格子点のために著しく強化され,CsSnI_3結晶サイズを減少させた。それは,0.74W/mKから0.28W/mKへの熱伝導率の減少を示した。本研究は,溶液ベース熱電発電機の熱電性能を改善するための新しいパラダイムを開いた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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発光素子  ,  白金族元素の錯体  ,  高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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