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J-GLOBAL ID：201902211471039099   整理番号：19A1408867

環境条件における遷移金属ジカルコゲナイドおよび金属ジカルコゲナイドの選択的化学応答【JST・京大機械翻訳】

Selective Chemical Response of Transition Metal Dichalcogenides and Metal Dichalcogenides in Ambient Conditions

著者 (17件)： Park Jun Hong (Center for Quantum Nanoscience, Institute for Basic Science (IBS), Republic of Korea) ,  Park Jun Hong (Department of Physics, Ewha Womans University, Republic of Korea) ,  Park Jun Hong (Materials Science & Engineering Program, University of California) ,  Vishwanath Suresh (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University) ,  Wolf Steven (Materials Science & Engineering Program, University of California) ,  Zhang Kehao (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, Pennsylvania, United States) ,  Kwak Iljo (Materials Science & Engineering Program, University of California) ,  Edmonds Mary (Materials Science & Engineering Program, University of California) ,  Breeden Michael (Materials Science & Engineering Program, University of California) ,  Liu Xinyu (Physics Department, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Dobrowolska Margaret (Physics Department, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Furdyna Jacek (Physics Department, University of Notre Dame, Indiana, United States) ,  Robinson Joshua A. (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, Pennsylvania, United States) ,  Xing Huili Grace (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University) ,  Xing Huili Grace (Department of Materials and Science Engineering, Cornell University) ,  Kummel Andrew C. (Materials Science & Engineering Program, University of California) ,  Kummel Andrew C. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of California)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 34  ページ： 29255-29264  発行年： 2017年08月30日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体二次元(2D)材料に基づく実用的なデバイスを作製するために,ソース,チャネル,およびドレイン材料を周囲空気に曝露する。しかし,層状2D材料の空気への応答は分子レベルで完全には解明されていない。本報告では,超高真空走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて,遷移金属ジカルコゲニド(TMD)および金属ジカルコゲニド(MD)に及ぼす空気曝露の影響を研究した。MBE成長WSe_2,化学蒸着(CVD)成長MoS_2およびMBE SnSe_2に及ぼす1日大気暴露の影響を比較した。MBE成長したWSe_2とCVD成長MoS_2の両方はステップ端で選択的空気曝露応答を示し,WSe_2上の酸化とMoS_2上の炭化水素の吸着と一致した。一方,両TMDのテラスとドメイン/粒界境界は周囲空気にほとんど不活性であった。逆に,MBE成長SnSe_2,MDは大気中で安定でない。大気中で1日間曝露後,SnSe_2の全表面はX線光電子分光法で見られるようにSnO_xとSeO_xに分解された。すべての3つの材料の酸化エンタルピーは類似しているので,データはSnSe_2の弱い結合によって駆動されるSnSe_2のより大きな酸化と一致している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MBE成長 ,  X線光電子分光法 ,  酸化 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  結晶粒界 ,  炭化水素 ,  化学蒸着 ,  二次元 ,  半導体 ,  超高真空 ,  チャネル ,  エンタルピー
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  テラス ,  周囲空気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： WSe_2 ,  MOS_2 ,  SnSe_2 ,  STM ,  STS ,  空気曝露

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 環境条件 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  化学 ,  応答