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J-GLOBAL ID：201902211571772642   整理番号：19A0203555

連続波ダイオードレーザ誘起再結晶によるスパッタGe/Si(100)エピタキシャル膜における貫通転位密度の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduction of Threading Dislocation Density in Sputtered Ge/Si(100) Epitaxial Films by Continuous-Wave Diode Laser-Induced Recrystallization

著者 (5件)： Liu Ziheng (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, New South Wales, Australia) ,  Hao Xiaojing (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, New South Wales, Australia) ,  Huang Jialiang (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, New South Wales, Australia) ,  Ho-Baillie Anita (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, New South Wales, Australia) ,  Green Martin A. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, New South Wales, Australia)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 1  号： 5  ページ： 1893-1897  発行年： 2018年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率III-V太陽電池応用のための低欠陥単結晶Ge膜を作製するために,連続波(CW)ダイオードレーザとマグネトロンスパッタリングを組み合わせた費用対効果が高く,スケーラブルで高スループットな方法を開発した。CWダイオードレーザ誘起再結晶は,スパッタ蒸着した単結晶Ge/Siエピタキシャル膜の貫通転位密度(TDD)を3桁以上劇的に低減することを実証した。これは,低TDDを達成するためのGe/Si格子不整合の典型的な問題を克服する,レーザ誘起横再結晶プロセスによるスパッタリング過程における初期Ge/SiヘテロエピタクシーからGe/Geホモエピタクシーへの成長機構の変化に起因する可能性がある。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  マグネトロンスパッタリング ,  *ダイオード ,  単結晶 ,  格子不整合 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  太陽電池 ,  *エピタクシー ,  *連続波 ,  *再結晶
準シソーラス用語： 高効率 ,  *貫通転位密度 ,  *エピタキシャル膜 ,  *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エピタキシャルGe膜 ,  欠陥低減 ,  連続波ダイオードレーザ ,  再結晶 ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 連続波 ,  ダイオード ,  レーザ誘起 ,  再結晶 ,  スパッタ ,  Ge ,  Si ,  エピタキシャル膜 ,  貫通転位密度