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J-GLOBAL ID：201902211626144109   整理番号：19A0660526

高配向単分子層MOS_2連続膜のウエハスケール成長と移動【JST・京大機械翻訳】

Wafer-Scale Growth and Transfer of Highly-Oriented Monolayer MoS₂ Continuous Films

著者 (29件)： Yu Hua (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liao Mengzhou (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhao Wenjuan (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Guodong (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhou X. J. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wei Zheng (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Xu Xiaozhi (School of Physics, Peking University, China) ,  Liu Kaihui (School of Physics, Peking University, China) ,  Liu Kaihui (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, China) ,  Hu Zonghai (School of Physics, Peking University, China) ,  Hu Zonghai (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, China) ,  Deng Ke (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, P.R. China) ,  Zhou Shuyun (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics and Department of Physics, Tsinghua University, P.R. China) ,  Shi Jin-An (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Gu Lin (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shen Cheng (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Tingting (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Du Luojun (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Du Luojun (Department of physics, Renmin University of China, China) ,  Xie Li (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhu Jianqi (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Chen Wei (College of Physics and Electronic Information, Gannan Normal University, Jiangxi, China) ,  Yang Rong (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Yang Rong (Beijing Key Laboratory for Nanomaterials and Nanodevices, China) ,  Shi Dongxia (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shi Dongxia (Beijing Key Laboratory for Nanomaterials and Nanodevices, China) ,  Zhang Guangyu (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Guangyu (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, China) ,  Zhang Guangyu (Beijing Key Laboratory for Nanomaterials and Nanodevices, China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 12  ページ： 12001-12007  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層MoS_2の大規模エピタキシャル成長と移動は,近年大きな注目を集めている。ここでは,化学蒸着(CVD)法による単結晶サファイアウエハ上の高度に配向した連続で均一な単分子層MoS_2膜のウエハスケールのエピタキシャル成長について報告する。エピタキシャル膜は高品質で,多くの0°,60°ドメインおよび60°ドメイン境界によりステッチされた。さらに,このようなウエハスケール単分子層MoS_2膜は,簡単なスタンプ移動プロセスにより転写され,積層され,基板はその後の成長のために再利用可能である。著者らの進歩は,実用化のための様々な電子,原子価電子,およびオプトエレクトロニクスデバイスのスケーラブルな作製を容易にするであろう。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 価電子 ,  *単分子層 ,  化学蒸着 ,  転写 ,  単結晶 ,  基板 ,  エピタクシー ,  単一層 ,  スタンプ ,  ドメイン構造 ,  高品質 ,  エピタキシャル膜
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  分域境界 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ウエハスケール ,  指向 ,  単分子層二硫化モリブデン ,  エピタキシャル成長 ,  転写

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 配向 ,  単分子層 ,  ウエハ ,  スケール ,  成長