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J-GLOBAL ID：201902211626507735   整理番号：19A2880614

分光偏光解析法と分光光度法により測定したCH_3NH_3PbI_3の高エネルギー光学遷移と光学定数【JST・京大機械翻訳】

High-Energy Optical Transitions and Optical Constants of CH₃NH₃PbI₃ Measured by Spectroscopic Ellipsometry and Spectrophotometry

著者 (4件)： Bailey Christopher G. (Physics and Astronomy Department, University of Southampton, U.K.) ,  Piana Giacomo M. (Physics and Astronomy Department, University of Southampton, U.K.) ,  Lagoudakis Pavlos G. (Physics and Astronomy Department, University of Southampton, U.K.) ,  Lagoudakis Pavlos G. (Skolkovo Institute of Science and Technology (Skoltech), Russia)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 123  号： 47  ページ： 28795-28801  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ハロゲン化物ペロブスカイト(MHP)に基づくオプトエレクトロニクスは,10年以上の研究に続いてかなり有望であることが示されている。タンデム太陽電池のような商業化の主要な経路に対して,利用される材料に対する正確な光学データを必要とする光学モデリングは,エンジニアリングデバイスアーキテクチャにとって不可欠である。さらに,基本的な材料特性の包括的な理解は,設計目的のためのデバイスの操作をシミュレーションするために重要である。本論文では,可変角度分光エリプソメトリ(SE)を用いて,0.73~6.45eVの光子エネルギー範囲にわたるCH_3NH_3PbI_3(MAPbI_3)薄膜の光学定数を決定した。3つの異なる入射角に対して6つのTauc-Lorentz発振器を用いて偏光解析データをモデル化することに成功した。これに続いて,複素誘電率の臨界点解析を用いて,1.59,2.49,および3.eVにおけるよく知られた遷移を同定したが,4.39および5.65eVにおける付加的遷移も観測された。これらはSEおよび分光測定の両方で観測された。本研究は,MAPbI_3の光学遷移とバンド構造に関する重要な情報を提供し,それは材料の潜在的応用の開発を助けることができる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 臨界点 ,  発振器 ,  *光学定数 ,  バンド構造 ,  商業化 ,  *偏光解析法 ,  入射角 ,  薄膜 ,  モデリング ,  *吸光分光分析 ,  複素誘電率 ,  計算機アーキテクチャ ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： タンデム太陽電池 ,  *光学遷移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分光偏光解析法 ,  分光光度法 ,  高エネルギー ,  光学遷移 ,  光学定数