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J-GLOBAL ID:201902211700236468   整理番号:19A0012707

光励起下のMOS_2センサの完全回復による増強センシング応答【JST・京大機械翻訳】

Enhanced sensing response with complete recovery of MoS2 sensor under photoexcitation
著者 (3件):
資料名:
巻: 1942  号:ページ: 050060-050060-4  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二硫化モリブデン(MoS_2),3原子厚半導体は,その高い表面対体積比のために,ガス検知における新しい道を開いた。しかし,室温における低感度,不完全回収および低選択性は,実用的ガスセンサに対するその使用を制限する。ここでは,光励起により室温で高感度で,非常に選択的で完全に回収可能なガスセンサを開発するための容易な戦略を報告する。しかし,元のMoS_2ガスセンサは室温でNO_2に対してかなりの応答と不完全な回復を示した。光励起後,MoS_2センサはNO_2曝露による完全な回復と共に改善された応答を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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