文献

J-GLOBAL ID：201902211713379058   整理番号：19A0029485

局所金属接触下のドーピングプロファイルの特性について【JST・京大機械翻訳】

On the characteristics of the doping profile under local metal contacts

著者 (3件)： Micard Gabriel (University of Konstanz, Universitaetsstr. 10, 78464 Konstanz Germany) ,  Hahn Giso (University of Konstanz, Universitaetsstr. 10, 78464 Konstanz Germany) ,  Terheiden Barbara (University of Konstanz, Universitaetsstr. 10, 78464 Konstanz Germany)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1999  号： 1  ページ： 020019-020019-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの太陽電池概念において,局所接触における再結合は効率のボトルネックである。したがって,金属接触の下の最適化されたドーピングプロファイルは,セル性能を改善するであろう。TCADシミュレーションにより種々のドーピングプロファイルの飽和電流密度(J_0e,met)値を調べ,最低J_0e,met値がPauliブロッキングの結果として表面濃度N_s>5,10~20cm-3のプロファイルで得られ,接合深さx_jとはほとんど無関係であることを示した。より低いN_sを有するプロファイルに対して,J_0e,metおよびシート抵抗(R_シート)の間の近似的比例性を示すことができ,これらのプロファイルの再結合性能をプロファイル形状に準独立にした。したがって,現在使用されているR_シートのより低い値,典型的には<10Ω/sqr,N_s>10~20cm-3を保つことによるプロファイルは,より低いJ_0e,met,典型的に<100fA/cm2に達することができた。一般にAuger再結合は非常に低く(R_シート>5Ω/sqrで<10fA/cm2),エミッタの最適プロフィル形状では役割を果たさない。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シート抵抗 ,  最適化 ,  接合 ,  ブロッキング ,  シミュレーション ,  *再結合 ,  太陽電池 ,  近似法
準シソーラス用語： Auger再結合 ,  表面濃度 ,  飽和電流密度 ,  TCAD ,  *ドーピングプロファイル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (1件)： ドーピングプロファイル