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J-GLOBAL ID：201902211716876176   整理番号：19A1888134

多孔質InGaN層を持つIn_0.42Ga_0.58N/GaN二重ヘテロ構造における結晶品質とルミネセンスの劣化機構【JST・京大機械翻訳】

Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In_0.42Ga_0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer

著者 (13件)： Liu Jianxun (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Liu Jianxun (School of Physics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Liang Hongwei (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Zheng Xiantong (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Zheng Xiantong (School of Physics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Liu Yang (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Xia Xiaochuan (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Abbas Qasim (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Abbas Qasim (School of Physics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Huang Huolin (School of Physics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Shen Rensheng (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Luo Yingmin (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China) ,  Du Guotong (School of Microelectronics, Dalian University of Technology, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 33  ページ： 18095-18101  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面サファイア基板上の_0.42Ga_0.58N/GaN二重ヘテロ構造を有機金属化学蒸着により成長させた。高角度環状暗視野走査透過型電子顕微鏡法により,In_0.42Ga_0.58N層は,10~9cm-2の密度と74.6nmの平均直径を有する多ファセット空孔から成る多孔質構造を特徴とし,熱力学的に優先的な空孔凝集に起因することを明らかにした。光ルミネセンスと陰極線ルミネセンスの両方がIn_0.42Ga_0.58N層でルミネセンス消光を示した。ボイド表面トラッピングと妨害された放射再結合を含むボイドモデルはルミネセンス消光機構を定量的に記述した。さらに,In_0.42Ga_0.58N層内のインジウム(In)析出物は,ボイドと同じ消光中心から成り,ルミネセンスに悪影響を及ぼすことから,自然界ではボイド-In錯体であることが分かった。これらの結果は,高In含有量のInGaN系発光素子の光劣化への重要な洞察を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インジウム ,  光ルミネセンス ,  *ルミネセンス ,  凝集 ,  陰極線ルミネセンス ,  MOCVD ,  *多孔性 ,  消光 ,  ファセット ,  錯体
準シソーラス用語： 発光素子 ,  トラッピング ,  暗視野 ,  *ヘテロ構造 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多孔質 ,  InGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  結晶品質 ,  ルミネセンス