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J-GLOBAL ID：201902211722045025   整理番号：19A1465305

振動分光法による単層セレン化ガリウムにおける応用歪のモニタリング:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Monitoring the Applied Strain in Monolayer Gallium Selenide through Vibrational Spectroscopies: A First-Principles Investigation

著者 (2件)： Longuinhos R. (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Lavras, PO Box 3037, Lavras, Minas Gerais 37200-000, Brazil) ,  Ribeiro-Soares J. (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Lavras, PO Box 3037, Lavras, Minas Gerais 37200-000, Brazil)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 11  号： 2  ページ： 024012  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層セレン化ガリウム([数式:原文を参照])は,ナノスケール電子,スピントロニクス,およびオプトエレクトロニクス応用のための有望な材料である。その電気伝導率と光学的性質は歪工学によって大きく調整されることが報告されており,そこでは適用歪の評価が重要である。本研究では,単分子層[数式:原文を参照]における歪誘起フォノン周波数シフトを明らかにするために第一原理計算を適用し,歪プローブとしての有望な応用を示した。さらに,歪誘起格子不安定性に対する一軸,二軸およびせん断歪の開始は,それぞれ22%,16%および5%であり,柔軟なエレクトロニクスにおけるハンドルとして用いることができることを見出した。単分子層[数式:原文を参照]より約2倍軟らかい単分子層[数式:原文を参照]を見出し,単分子層グラフェンより4倍軟らかく,そのRaman指紋モードは1.0%までの低歪領域で歪値を分解できることを見出した。これらの結果は,脆弱な応用における歪センサとしての使用を示唆している。著者らの結果は,Raman分光法と赤外分光法を用いて単分子層[数式:原文を参照]の歪を調べることに関する洞察を提供し,それは[数式:原文を参照]ベースのデバイスにおける歪工学と柔軟なエレクトロニクスにおける更なる開発のために最も重要である。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  *第一原理 ,  単分子層 ,  計算 ,  指紋 ,  スピントロニクス ,  電子技術 ,  二軸 ,  オプトエレクトロニクス ,  プローブ ,  *単一層 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 脆弱性 ,  第一原理計算 ,  ナノスケール ,  *セレン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 振動分光法 ,  単層 ,  セレン化ガリウム ,  応用 ,  歪 ,  モニタリング ,  第一原理 ,  研究